DRAM替代品現身？軟性憶阻器省錢節電 研究機構傾全力開發

2009 / 06 / 08
美國國家標準和技術研究院 (U.S. National Institute of Standards and Technology；NIST) 目前正在進行軟性憶阻器 (Flexible memristor) 的開發研究，希望能為記憶體科技打開新的大門。這項技術雖然相當創新，但其實去年已經先由惠普 (Hewlett-Packard Co.；HPQ-US) 對外展示它靈活的形式，讓外界為之驚豔。
根據《CENT》報導，NIST 表示目前憶阻器 (memristor) 是以防曬乳與牙膏的原料─二氧化鈦製造而成，是種輕薄又靈活的透明聚合物。NIST 研究團隊表示，這項新開發的憶阻器能在不到 10 伏特的電流下運作，即使電力被切斷也可維持記憶能力，還能在伸縮逾 4000次的情況下，仍能有效運作。
Nist 研究員 Nadine Gergel-Hackett 在一份聲明中指出：「我們希望能在電子產品被廣泛運用的當下，創造一種軟性且靈活的記憶體元件，進一步推動軟性電子產品的發展和計量學」。
現在，NIST 的研究小組用一種相當便宜的技術就能製造出憶阻器，他們透過二氧化鈦在旋轉時「溶膠凝膠法」的液態形式，把它擺放在透明的薄片上，然後讓聚合物在室溫下變乾。研究人員在一份報告中指出，這樣製造出來的憶組體能保持非揮發性長達 14 天。
Nadine Gergel-Hackett 更指出：「由於憶阻器能夠從液體中被製出，未來具有很大的發展潛力，說不定未來憶阻體的製造過程能變得簡單又便宜，就像我們目前把它印在透明的幻燈片上的做法一樣。」
有關憶阻器的假設其實早在 70 年代就已經被學者提出，但一直到 2008 年才由惠普的研究人員真正證明它的存在。由於憶阻體在沒有電流通過下，還能記憶先前通過的電量，民眾未來就不必擔心電腦因為重新開機而喪失資料。這項技術也進一步提升晶片性能，更能讓晶片體積變得更加輕巧，甚至取代現今所使用的動態隨機存取存儲器 (DRAM)。
NIST 也強調，憶阻器能夠為晶片帶來更多發展空間，不僅適用各項科技發領域，甚至可用於監測血糖和心跳的醫療用途等。