三星 引爆記憶體製程大戰

【經濟日報】2009.07.18
全球記憶體晶片龍頭韓國三星傳出下半年將投入至少1兆韓元（約折合7.9億美元），發展DRAM與NAND Flash（快閃記憶體）技術，再度引爆記憶體業製程大戰。
相較於三星大規模投入資金發展先進製程，台灣DRAM廠目前僅南科、華亞科仍有餘力投資新世代技術；力晶雖然合作夥伴爾必達（Elpida）有技術，但礙於目前財務狀況吃緊，今年暫無導入新製程規劃。
投信法人指出，三星現階段財務狀況最好的記憶體晶片廠，隨其積極投入新製程研發，將對同業造成不小壓力，尤其目前部分台灣DRAM廠面臨資金水位偏低窘境，在改善自身財務結構之餘，還要面對三星的技術挑戰，產業後續變化值得關注。
外電報導，三星正積極規劃投入40奈米DRAM製程與30奈米NAND型快閃記憶體製程技術，預計在下半南投入至少1兆韓元。
三星半導體部門總裁Kwon Oh-hyun證實，該公司確實有提高下半年資本支出的計畫。不過，由於現階段記憶體產業仍尚未脫離衰退陰霾，因此對擴充產能將持更謹慎的態度。
三星預計在24日公布第二季財報，但該公司已在本月初破天荒首度揭露第二季營運預估，估計合併營收約介於31兆至33兆韓元，合併營業利益則在2.2兆至2.6兆韓元，都比市場分析師預期來得出色。
儘管現階段記憶體價格仍未有顯著轉強態勢，但已有部分分析師認為市場狀況將可望逐步改善。